SCR ad alta frequenza Silicon 90A con prezzo

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Informazioni basilari

Modello: YZPST-1690-TO-247S-2

Additional Info

Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

produttività: 1000

marchio: YZPST

Trasporti: Ocean,Air

Luogo di origine: Cina

Abilità del rifornimento: 10000

Certificati : ISO9001-2008,ROHS

Codice SA: 85413000

Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

SCR serie 90A PST1690

YZPST-1690-to-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 s e r i e s o f si l icona c o n trolled rec f IERS t I, W-esima h i h g ab i l ità t o con h e d t h e s h o ck l o a d i n g o g gag c u r r en t, p ro v ide h i g h d v / d t Vota w ith s t r sul g resistere un ce a e lec t r o m a g ne tic i n t e r f e re n z. Th e y un re e s p e cialmente rec o mm en d e d f o r uso o n s o l i d a te rela y , mo t o rc y cle, po w e r c ha r g e r , T - t oo ls e tc

A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40-150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40-125	℃
Repetitive peak off-state voltage	VDRM	1600	V
Repetitive peak reverse voltage	VRRM	1600	V
Average on-state current (TC=80℃)	IT(AV)	56	A
RMS on-state current(TC=80℃)	IT(RMS)	90	A
Non repetitive surge peak on-state current (tp=10ms)	ITSM	1250	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	7800	A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)	dI/dt	150	A/μs
Peak gate current	IGM	10	A
Peak gate power	PGM	20	W
Average gate power dissipation(Tj=125℃)	PG(AV)	2	W

E L E C TRICAL CH A R A CTERI S TICS ( T j = 25 ℃ u n meno o T E w ise r s pe ci f i e d )

Symbol	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Test Condition	MIN.	TYP.	MAX.	Unit
IGT	VD=12V RL=30Ω	10	-	80	mA
VGT	VD=12V RL=30Ω	-	-	1.5	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃	0.25	-	-	V
IL	IG=1.2 IGT	-	-	200	mA
IH	IT=1A	-	-	150	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate Open	1000	-	-	V/μs