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Home > Elenco prodotti > Pacchetto di plastica a semiconduttore > Silicon Controlled Rectifier (SCR) > SCR ad alta frequenza Silicon 90A con prezzo

SCR ad alta frequenza Silicon 90A con prezzo

SCR ad alta frequenza Silicon 90A con prezzo

Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-1690-TO-247S-2

Additional Info

    Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

    produttività: 1000

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 10000

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

SCR serie 90A PST1690

YZPST-1690-to-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 s e r i e s o f si l icona c o n trolled rec f IERS t I, W-esima h i h g ab i l ità t o con h e d t h e s h o ck l o a d i n g o g gag c u r r en t, p ro v ide h i g h d v / d t Vota w ith s t r sul g resistere un ce a e lec t r o m a g ne tic i n t e r f e re n z. Th e y un re e s p e cialmente rec o mm en d e d f o r uso o n s o l i d a te rela y , mo t o rc y cle, po w e r c ha r g e r , T - t oo ls e tc


A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40-150

Operating junction temperature range

Tj

-40-125

Repetitive peak off-state voltage

VDRM

1600

V

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

1600

V

Average on-state current (TC=80)

IT(AV)

56

A

RMS on-state current(TC=80)

IT(RMS)

90

A

Non repetitive surge peak on-state current

(tp=10ms)

 

ITSM

 

1250

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

7800

A2s

Critical rate of rise of on-state current

(IG=2×IGT)

 

dI/dt

 

150

 

A/μs

Peak gate current

IGM

10

A

Peak gate power

PGM

20

W

Average gate power dissipation(Tj=125)

PG(AV)

2

W


E L E C TRICAL CH A R A CTERI S TICS
( T j = 25 u n meno o T E w ise r s pe ci f i e d )

 

Symbol

 

Test Condition

Value

 

Unit

MIN.

TYP.

MAX.

IGT

 

VD=12V RL=30Ω

10

-

80

mA

VGT

-

-

1.5

V

VGD

VD=VDRM Tj=125

0.25

-

-

V

IL

 

IG=1.2 IGT

-

-

200

mA

IH

 

IT=1A

-

-

150

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Tj=125 Gate Open

1000

-

-

V/μs

S TA TIC C H A RA CTERI S TICS

Symbol

Parameter

Value(MAX)

Unit

VTM

ITM=110A tp=380μs

TC=25

1.8

V

IDRM

 

VD=VDRM VR=VRRM

TC=25

50

μA

IRRM

TC=125

10

mA

TERMICO R E S I S T AN CE S

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-c)

junction to case(DC)

0.27

/W


Immagini dettagliate

Elenco prodotti : Pacchetto di plastica a semiconduttore > Silicon Controlled Rectifier (SCR)

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