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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Home > Elenco prodotti > Dispositivi a semiconduttore (tipo a capsula) > Reverse Conducting Thyristor (RCT) > Ottimizzato per basse perdite dinamiche tiristore RCT 2000V

Ottimizzato per basse perdite dinamiche tiristore RCT 2000V
Ottimizzato per basse perdite dinamiche tiristore RCT 2000V

Ottimizzato per basse perdite dinamiche tiristore RCT 2000V

Prezzo unitario: USD 360 / Piece/Pieces
Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo: 20 Piece/Pieces
Termine di consegna: 30 giorni

Informazioni basilari

    Modello: YZPST-KT50BT-5STR03T2040

    Tipo: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

    Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

    produttività: 100

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 500

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

INVERSIONE DEI TIRISTORI

YZPST-KT50BT-5STR03T2040

Caratteristiche:
. Diodo a ruota libera integrato
. Ottimizzato per basse perdite dinamiche

Blocco - Off State

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

2000

2100


V RRM = Tensione inversa del picco ripetitivo

V DRM = Voltaggio dello stato di picco ripetitivo off

V RSM = tensione inversa di picco non ripetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Gli appunti:

Tutti i valori nominali sono specificati per Tj = 25 oC salvo diversa indicazione.

(1) Tutti i valori di tensione sono specificati per un applicato

Forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz su

intervallo di temperatura da -40 a +125 ° C.

(2) 10 msec. max. larghezza di impulso

(3) Valore massimo per Tj = 125 oC.

(4) Valore minimo per forma d'onda lineare ed esponenziale all'80% di VDRM valutato. Cancello aperto. Tj = 125 oC.

(5) Valore non ripetitivo.

(6) Il valore di di / dt è stabilito in conformità allo standard EIA / NIMA RS-397, sezione 5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta a quello ottenuto da un circuito più basso, comprendente un condensatore da 0,2 F e una resistenza di 20 ohm in parallelo con il thristor sotto test.

onducting - on state

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

IF(AV)M

360

223

A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

566

351

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

IFSM

  

5000

3500

A

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

125x103

61x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

500

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

100

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

VFM

2.61

3.42

V

ITM = 1000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

-

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

25

A

Gate current required to trigger all units

IGT

400

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

2.5

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

2

V

Dinamico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

40

-

ms

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us                                         

CARATTERISTICHE E VALUTAZIONI TERMICHE E MECCANICHE

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+120

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

RQ (j-c)D

55

140

88

165

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

F

8

12

-

kN

Weight

W

-

Kg

* Le superfici di montaggio sono lisce, piatte e unte

Nota: per il contorno e le dimensioni del caso, vedere il disegno di un caso nella pagina 3 di questo Dati tecnici


REVERSE CONDUCTING THYRISTORS


Sym

A

B

C

D

H

mm

68

45

62

3.5×3

20±1

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