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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Home > Elenco prodotti > Dispositivi a semiconduttore (tipo a capsula) > Trifase di controllo di fase > Westcode Thyristor Power Controller 1200V con CE

Westcode Thyristor Power Controller 1200V con CE
Westcode Thyristor Power Controller 1200V con CE
Westcode Thyristor Power Controller 1200V con CE
Westcode Thyristor Power Controller 1200V con CE

Westcode Thyristor Power Controller 1200V con CE

Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-R220CH12FJO

Additional Info

    produttività: 100

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 500

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto



Tiristore a commutazione veloce multifunzionale

YZPST-R220CH12FJO

ALTA POTENZA TIRISTORE PER CONTROLLO FASE 1200V con CE


Le caratteristiche del tiristore di commutazione sono che il prodotto ha tutte le strutture diffuse, la configurazione di gate amplificata interdigitata, il tempo massimo di spegnimento garantito, l'elevata capacità DV / DT e il dispositivo assemblato a pressione.



CARATTERISTICHE ELETTRICHE E VALUTAZIONI


Blocco - Off State

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

VRRM = Voltaggio inverso del picco ripetitivo

VDRM = Voltaggio dello stato di picco ripetitivo off

VRSM = tensione inversa di picco non ripetitiva (2)




Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec



Gli appunti:

Tutti i valori nominali sono specificati per Tj = 25 oC salvo diversa indicazione.

(1) Tutti i valori di tensione sono specificati per un applicato

Forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz su

intervallo di temperatura da -40 a +125 ° C.

(2) 10 msec. max. larghezza di impulso

(3) Valore massimo per Tj = 125 oC.

(4) Valore minimo per forma d'onda lineare ed esponenziale all'80% di VDRM valutato. Cancello aperto. Tj = 125 oC.

(5) Valore non ripetitivo.

(6) Il valore di di / dt è stabilito in conformità allo standard EIA / NIMA RS-397, sezione 5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta a quello ottenuto da un circuito più basso, comprendente un condensatore da 0,2 F e una resistenza di 20 ohm in parallelo con il thristor sotto test.


Conducendo - su stato

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

964

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1971

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.4

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

442x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.96

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinamico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

25

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARATTERISTICHE E VALUTAZIONI TERMICHE E MECCANICHE

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Le superfici di montaggio sono lisce, piatte e unte

Nota: per il contorno e le dimensioni del caso, vedere il disegno di un caso nella pagina 3 di questo Dati tecnici



Immagini dettagliate


HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-R220CH12FJO

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