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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Tiristore ad alta potenza 4500V assemblato a pressione
Tiristore ad alta potenza 4500V assemblato a pressione
Tiristore ad alta potenza 4500V assemblato a pressione
Tiristore ad alta potenza 4500V assemblato a pressione

Tiristore ad alta potenza 4500V assemblato a pressione

Prezzo unitario: USD 310 - 410 / Piece/Pieces
Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo: 1 Piece/Pieces
Termine di consegna: 30 giorni

Informazioni basilari

    Modello: YZPST-R3708FC45V

    VRRM: 4500V

    VDRM: 4500V

    VRSM: 4600V

    IRRM / IDRM: 200mA

    DV/dt: 200 V/μsec

Additional Info

    Pacchetto: 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

    produttività: 100

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 1000

    Certificati : ISO9000

    Codice SA: 85413000

    Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

TIRISTORE AD ALTA POTENZA PER APPLICAZIONI CON CONTROLLO FASE

YZPST-R3708FC45V

Caratteristiche:

. Tutta la struttura diffusa

. Configurazione del gate di amplificazione lineare

. Capacità di blocco fino a 4500 volt

. Tempo di spegnimento massimo garantito

. Alta capacità dV / dt

. Dispositivo assemblato a pressione

Blocco - Stato spento



Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3708FC45

4500

4500

4600


V RRM = Tensione inversa di picco ripetitiva


V DRM


= Re p etiti v e p eak o ff state vo lta g e

V RSM = N o n re p etiti v e p eak re v erse vo lta g e ( 2 )

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 Vsec

Conduzione - sullo stato


forma d'onda per 80% nominale V DRM . cancello Aperto. Tj = 125 o C.

(5) Non ripetitivo valore.

(6) Il valore di di / dt è stabilito nel conformemente EIA / NIMA Standard RS-397, Sezione

5-2-2-6. T h e valore definito voluto essere nel aggiunta per quello ottenuto a partire dal un' snubber circuito, co m p aumento un' 0.2 μ F condensatore e 20 oh m s resistenza nel parallelo con il thristor sotto esame.


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

3708

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

7364

 

A

TS=25oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

50000

 

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

12.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

 

1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

 

450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

 

2.1

 

V

ITM = 4000 A; Duty cpstcle 0.01% Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt

 

 

250

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt

 

 

100

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V

ELETTRICO CARATTERISTICHE E VALUTAZIONI R3708FC45 - Po w er Th y ristor

gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA mA mA

VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

0.30

5

3

 

V V V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V

 

D y namic

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

 

2.5

μs

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms;

tr = 0.1 μs; tp = 20 μs

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

 

250

μs

ITM =4000 A; di/dt = 60 As;

VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20

V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us

Reverse recovery current

Irr

 

 

 

A

ITM =4000 A; di/dt = 60 As; VR =100 V


TERMICO E MECCANICO CARATTERISTICHE E GIUDIZI

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to sink

RΘ (j-s)

 

0.0075

0.0150

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

98

113

 

kN

 

Weight

W

 

 

2.7

Kg.

 

* Montaggio superfici s m ooth, piatto e unta

C458pb Thyristor

Sym

A

B

C

E

Inches

3.9 3

5.90

5.15

1.37

mm

100

150

131

35±1.0



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