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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Tiristore asimmetrico 60mA VRRM 30V
Tiristore asimmetrico 60mA VRRM 30V
Tiristore asimmetrico 60mA VRRM 30V
Tiristore asimmetrico 60mA VRRM 30V

Tiristore asimmetrico 60mA VRRM 30V

Prezzo unitario: USD 48 - 60 / Piece/Pieces
Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo: 1 Piece/Pieces
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-A1237NC280

    IT(AV): 1237A

    VTM: ≤2.7V

    VDRM / VDSM: 2800V

    IDRM: 60mA

    IRRM: 10mA

    Tjm: -40~125℃

    VRRM / VRSM: 30V

Additional Info

    produttività: 1000

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 1000

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto


Tiristore asimmetrico

YZPST-A1237NC280

La società Asyretric Thyristor 25V ha superato la certificazione del sistema qualità ISO9001 e la qualità è garantita. Adatto alle tue esigenze di SCR.

Blocco - Stato spento

VDRM (1)

VDSM (1)

VRRM (1)

VRSM(1)

2800

2800

30

30

V RRM = Tensione inversa di picco ripetitiva

V DRM = Tensione ripetitiva di picco disattivata

V RSM = Tensione inversa di picco non ripetitiva

Appunti:

Tutti i rating sono specificati per Tj = 25 o C a meno che

diversamente indicato.

(1) Tutti i valori nominali di tensione sono specificati per un'applicazione applicata

Forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz su

intervallo di temperatura da -40 a +125 o C.

(2) 10 msec. max. larghezza di impulso

(3) Valore massimo per Tj = 125 o C.

(4) Valore minimo per lineare ed esponenziale

wavehape all'80% valutato V DRM . Cancello aperto.

Tj = 125 o C.

(5) Valore non ripetitivo.

(6) Il valore di di / dt è stabilito in conformità

con standard EIA / NIMA RS-397, sezione

5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta

zione rispetto a quella ottenuta da un circuito snubber,

comprendente un condensatore da 0,2 mF e 20 ohm

resistenza in parallelo con il thristor sotto

test.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

10 mA

60 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

3000 V/msec

Conduzione - sullo stato

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

 

1237

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

 

2555

 

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18

 

KA

 

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.62x103

 

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.1

 

V

ITM = 2000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =125 oC

Threshold vlotage

VT0

 

1.7

 

V

 

Slope resistance

rT

 

0.21

 

 

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

2000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

10

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

400

-

 

mA

mA

mA

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VRGM

 

10

 

V

Dinamico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

1

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

20

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cycle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

-

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V

CARATTERISTICHE E VALUTAZIONI TERMICHE E MECCANICHE

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

24

48

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

510

g

About




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