$10100-999 Piece/Pieces
$6.5≥1000Piece/Pieces
| Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Trasporti: | Ocean,Air |
| Porta: | SHANGHAI |
Ombra:
Modello: YZPST-M2G0080120D
marchio: Yzpst
VDSmax: 1200V
Id: 42A
Pd: 208W
VGS,op: -5/+20V
VGSMAX: -10/+25v
| Unità vendibili | : | Piece/Pieces |
| Tipo pacchetto | : | 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Box cartone 3. Packaging protettivo in plastica |
| Scaricare | : |
|
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M2G0080120D
1200V N-canale in carbone in carburo di silicio Mosfet Mosfet
Caratteristiche
• Pacchetto ottimizzato con pin separata della sorgente del driver
• Alta tensione di blocco con bassa resistenza
• Commutazione ad alta velocità con basse capacità
• Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (QRR)
• Facile da parallelo
• A norma RoHS
Benefici
• Maggiore efficienza del sistema
• Ridurre i requisiti di raffreddamento
• Aumento della densità di potenza
• Consentendo una frequenza più elevata
• Riduci al minimo lo squillo del cancello
• Riduzione della complessità e dei costi del sistema
Applicazioni
• Alimentatori in modalità switch
• Convertitori DC/DC
• Inverter solari
• Caricabatterie della batteria
• Unità motoria
Valutazioni massime (TC = 25 ° C se non diversamente specificato)
| Symbol | Parameter | Value | Unit | Test Conditions | Note |
| f^DSmax | Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 | V | 海=0 V, /d=100 卩A | |
| Id | Continuous Drain Current | 42 | A | 4s=20 V Tc=25 °C | Fig. 18 |
| Pd | Power Dissipation | 208 | W | *=25 °C | Fig. 19 |
| FgS,op | Recommend Gate Source Voltage | -0.25 | V | ||
| J^Smax | Maximum Gate Source Voltage | -0.4 | V | AC (f>lHz) | Note 1 |
| Tj, Tstg | Operating Junction and Storage Temperature Range | -55 to | °C | ||
| 175 | |||||
| 7l | Soldering Temperature | 260 | °C |
caratteristiche elettriche
| Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Unit | Test Conditions | Note |
| Static | |||||||
| BVds | Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 | - | - | V | 4s=0 V, Zd=100 卩A | |
| A)ss | Zero Gate Voltage Drain Current | — | 11 | 100 | 丹s=1200 V Pgs=0 V | ||
| Igss | Gate-Source Leakage | — | 10 | 250 | nA | 4s=20 V | |
| FGS(th) | Gate-Source Threshold Voltage | 2 | — | 4 | V | Id=5 mA, | Fig. 11 |
| &DS(on) | Drain-Source On-Resistance | — | 78 | 100 | mQ | 国=20 V, Zd=20 A | Fig. 6 |
| Dynamic | |||||||
| Ciss | Input Capacitance | — | 1128 | PF | 4s=0 V,比s=1000 V | Fig. 17 | |
| C^oss | Output Capacitance | — | 86 | f^l.OMHz,瓜=25 mV | |||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | — | 5 | ||||
| Eoss | Coss Stored Energy | - | 44 | 卩J | Fig. 16 | ||
| Qs | Total Gate Charge | — | 52 | nC | moo V | Fig. 12 | |
| figs | Gate-Source Charge | - | 17 | 血=20 A | |||
| Qgd | Gate-Drain Charge | - | 15 | Fgs=-5/+20 V | |||
| td(cn) | Turn-on Delay Time | — | 41 | ns | 丹 s=800 V | ||
| tr | Turn-on Rise Time | - | 21 | Fgs=-5/+20 V | |||
| Turn-off Delay Time | — | 48 | Id=20A | ||||
| tf | Turn-off Fall Time | — | 16 | Ro(ext)=2.5 Q | |||
| RG(int) | Internal Gate Resistance | - | 4 | n | E.O MHz, Vac=25 mV | ||
Schema del circuito di prova
Sic Mosfet
Numero Di Telefono: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
Azienda Indirizzo: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
sito web: https://it.yzpst.com
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