Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> BIE Direzioni THIRISTOR (TRIAC)> Corrente di attesa bassa e crogiolatura fino-252 600V BT136S-600 4A TRIAC
Corrente di attesa bassa e crogiolatura fino-252 600V BT136S-600 4A TRIAC
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$0.081000-9999 Piece/Pieces

$0.06≥10000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Express,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-BT136S-600

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

IT(RMS)4A

VDRM600V

VRRM600V

VTM1.7V

Tstg-40~150℃

TJ-40 ~ 125 ℃

ITSM25A

I2t3.1A2s

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
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TRIAC BT136S-600 a252
Descrizione del prodotto

P/N: YZPST-BT136 Serie 4A TRIACS

YZPST-BT136S-600

DESCRIZIONE:

Con la corrente di mantenimento e la chiusura bassa, i triaci della serie BT136 sono particolarmente raccomandati per l'uso sul carico di potenza del tipo di resistenza medio e piccolo.

YZPST-BT136 TO-220

PRINCIPALE CARATTERISTICHE:

symbol

value

unit

IT(RMS)

4

A

VDRM/VRRM

600/800

V

VTM

≤1.7

V

ASSOLUTO MASSIMO GIUDIZI:

Parameter Symbol Value Unit
Storage junction temperature range Tstg -40~150
Operating junction temperature range Tj -40~125
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25) VDRM 600/800 V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25) VRRM 600/800 V
RMS on-state current IT(RMS) 4 A
Non repetitive surge peak on-state current      
(full cycle, F=50Hz) ITSM 25 A
I2t value for fusing (tp=10ms) I2t 3.1 A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT)   - - 50  
dI/dt 10 A/ μs

Peak gate current IGM 2 A
Average gate power dissipation PG(AV) 0.5 W
Peak gate power PGM 5 W

Caratteristiche elettriche (TJ = 25 ℃ se non diversamente specificato)

Parameter       Value  
Test Condition Quadrant T D E Unit
    Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ   5 5 10  
IGT VD=12V,   5 10 25 mA
VGT RL=33Ω Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 5 10 20 mA
    Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ   8 10 20  
IL IG=1.2IGT MAX 12 15 35 mA
  VD=0.66×VDRM   Tj=125 Gate open          
dV/dt MIN 10 20 50 V/ µs

Caratteristiche statiche

Symbol Test Condition Value Unit
VTM ITM=5A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.7 V
IDRM   Tj=25   5 µA
IRRM VDRMVRRM Tj= 125 MAX 0.5 mA

TERMICO Resistenze

Symbol Test Condition Value Unit
    TO-252-4R 2.8  
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-220B(Non-Ins)/ TO-220C 2.6 /W

PACCHETTO MECCANICO DATI

BT136S-600 PACKAGE

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苏ICP备05018286号-1
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