Gate sensibile a 600V TRIACS TO-220AB YZPST Brand
$0.32100-999 Piece/Pieces
$0.23≥1000Piece/Pieces
Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Trasporti: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
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Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
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Porta: | SHANGHAI |
Modello: YZPST-T2550H-600T
marchio: Yzpst
Applicazione: Microfono, Alta frequenza, Circuiti dell'interruttore di alimentazione, Bias dell'amplificatore lineare, Scopo generale
VDRM: 600 V.
Vrrm: 600 V.
VDRM VRRM: 600 V.
Tstg: -40 ~ 150 ℃
It (RMS): 25a
TJ: -40 ~ 125 ℃
Tipo Di Fornitura: ODM, Agenzia, altro
Materiali Di Riferimento: Foto
Tipo Di Pacchetto: Montaggio superficiale, Bucato
Metodo Di Installazione: Attraverso il foro, Montaggio superficiale, Montaggio su telaio, Montaggio a perno, Telaio, montaggio con prigioniero, Non applicabile
Funzione FET: Non applicabile
Configurazione: Non applicabile
Unità vendibili | : | Piece/Pieces |
Scaricare | : |
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Triaci sensibile cancello
YZPST-T2550H-600T
Terchi di gate passivati e sensibili in una busta di plastica, destinati all'uso in generale di commutazione bidirezionale e applicazioni di controllo delle fasi, in cui è richiesta un'alta sensibilità in tutti e quattro i quadranti.
Parameter |
Symbol |
Typ |
Unit |
Repetitive peak off-state voltages |
VDRM VRRM |
600 |
V |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
25 |
A |
Non-repetitive peak on-state current |
ITSM |
210 |
A |
Max.Operating Junction temperature |
Tj |
‐40‐‐+125 |
℃ |
Storage Temperature |
Tstg |
‐40‐‐+150 |
℃ |
Caratteristiche elettriche (TA = 25 ℃ )
Parameter |
Symbol |
Test Conditions |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Repetitive peak off-state voltages |
VDRM VRRM |
|
600 |
— |
— |
V |
|
RMS on-state current |
IT(RMS) |
Full sine wave : Tmb≤120℃ |
— |
25 |
— |
A |
|
On-state voltage |
VT |
IT=25A |
— |
1.2 |
1.5 |
V |
|
Holding current |
IH |
VD = 12 V; IGT = 0.1 A |
— |
— |
50 |
mA |
|
Gate trigger current |
T2+G+ |
IGT |
VD = 12 V; IGT = 0.1 A |
— |
14 |
50 |
mA |
T2+G- |
— |
28 |
50 |
||||
T2-G- |
— |
25 |
50 |
||||
Latching current |
T2+G+ |
IL |
VD = 12 V; IGT = 0.1 A |
— |
— |
90 |
mA |
T2+G- |
— |
— |
90 |
||||
T2-G- |
— |
— |
90 |
||||
Gate trigger voltage |
VGT |
VD = 12 V; IT = 0.1 A |
— |
— |
1.3 |
V |
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