Power Cycling avanzato 1600 V Modulo tiristore

$18.510-199 Bag/Bags

$15.5≥200Bag/Bags

Descrizione del prodotto

Caratteristiche del prodotto

Modello: YZPST-MMO175-16W1C

marchio: Yzpst

Applicazione: Amplificatore, Non applicabile

Tipo Di Fornitura: altro

Materiali Di Riferimento: scheda dati, Foto, altro

Tipo Di Pacchetto: Montaggio superficiale

Metodo Di Installazione: Non applicabile

Funzione FET: Non applicabile

Configurazione: Non applicabile

VRRM: 1600V

VDRM: 1600V

VRSM: 1700V

IRRM: 5mA

IT(AV): 80A

IT(RMS): 125A

ITSM: 1500

Confezionamento e consegna

Unità vendibili	:	Bag/Bags
Scaricare	:

YZPST-MMO175-16W1C.

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Descrizione del prodotto

CARATTERISTICHE DEL PRODOTTO

Piastra di base: rame

Passivazione del vetro Chipstor Chips

Corrente di dispersione bassa

DBC internamente isolato

Ciclismo di potenza avanzato

Applicazioni

Controllo del motore AC softstart

Controllo della temperatura

Controllo di potenza CA

Power Converte

Illuminazione e controllo della temperatura

A bs o l u te m a x i m u m r a t i ng s ( tc = 25 ° C se non diversamente specificato)

Symbol	Parameter	Test Conditions	Values	Unit
VRRM	Maximum Repetitive Reverse Voltage	Tvj=125℃	1600	V
VDRM	Maximum repetitive peak off-state voltage	Tvj=125℃	1600	V
VRSM	Non-Repetitive Reverse Voltage	Tvj=125℃	1700	V
VDSM	Non-repetitive peak off-state voltage	Tvj=125℃	1700	V
IRRM	Maximum Repetitive Reverse Current	Tvj=125℃	5	A
IDRM	Maximum repetitive peak off-state Current	Tvj=125℃	5	A
IT(AV)	Mean On-state Current	TC=85℃	80
IT(RMS)	RMS Current	TC=85℃, sin180°	125
IRMS	Module	TC=85℃	175	A
ITSM	Non Repetitive Surge Peak On-state Current	10ms, Tj=25℃	1500
I2t	For Fusing	10ms, Tj=25℃	11000	A2S
VTM	Peak on-state voltage	ITM=240A	1.67	V
dv/dt	critical rate of rise of off-state voltage	VD =2/3VDRM Gate Open Tj=125℃	1000	V/us
IGT	gate trigger current max.		100	A
VGT	gate trigger voltage max.		1.3	V
IH	gate trigger current		200	A
IL	latching current		350	A
Viso	AC 50Hz RMS 1min		2500	V
TJ	Junction Temperature		-40 to +150	℃
TSTG	Storage Temperature Range		-40 to +150	℃
RthJC	Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip )		0.45	℃ /W