Dual Thyristor Module MTC250A1600V con gate di amplificazione

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Informazioni basilari

Modello: YZPST-MTC250A1600V

Additional Info

Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

produttività: 100

marchio: YZPST

Trasporti: Ocean,Air

Luogo di origine: CINA

Abilità del rifornimento: 500

Certificati : ISO9001-2008,ROHS

Codice SA: 85044409190

Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

Modulo Dual Thyristor

YZPST-MTC250A1600V

Il modulo viene elaborato in base alle esigenze dei clienti. Può essere utilizzato per il controllo della temperatura, il controllo motore CC e gli avviatori statici del motore CA. Il modulo ha ancora molte caratteristiche, come il gate di amplificazione nel tiristore, contatti di metallo prezioso per alta affidabilità e, ultimo ma non meno importante, il trasferimento di calore attraverso la piastra di base metallica in ceramica di nitruro di alluminio.

Dual Thyristor Modules

Caratteristiche • Trasmissione del calore tramite piastra di base in metallo ceramico nitruro di alluminio • Contatti di pressione in metallo prezioso per alta affidabilità

• Tiristore con gate amplificatore

TIPO: MTC250A-1600V Applicazioni tipiche • Controllo motore CC • Avviatori statici per motori CA • Controllo della temperatura • Regolazione della luminosità professionale

Valutazioni massime

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_T(AV)	Single phase,half wave,85° conduction	250	A
I_TRMS	Single phase,half wave,35° conduction	566	A
I_TSM	T_j=125℃	8000	A
I²t	T_j=125℃	320	kA²S
V_DRM/V_RRM		1800/1800	V
di/dt	non-repetitive	250	A/us
V_iso	A.C.1minute	3000	V
T_j		-40 ~ + 125	℃
T_stg		-40 ~ + 125	℃
W		-	g

caratteristiche elettriche

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_DRM /I_RRM	AtV_DRM,Single phase,half wave,T_j=125℃	85	mA
V_TM	On-State Current 750A,T_j=25℃	1.4	V
V_T(TO)	T_j=125℃	0.925	V
t_gd	T_j=25℃	1	us
t_q	T_j=125℃	50-150	us
I_GT/V_GT	T_j=25℃	200 / 3	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM , T_j=125℃	0.25	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	1000	V/us
I_H	T_j=25℃	150	mA
I_L	T_j=25℃	300	mA
R_th(j-c)	Per Module	0.07	K/W