YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Diodo ad alta tensione 30A raddrizzatore
Diodo ad alta tensione 30A raddrizzatore
Diodo ad alta tensione 30A raddrizzatore
Diodo ad alta tensione 30A raddrizzatore
Diodo ad alta tensione 30A raddrizzatore

Diodo ad alta tensione 30A raddrizzatore

$0.851000-1999 Piece/Pieces

$0.78≥2000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-RD3016-TO263

marchioYzpst

Tstg-55 ~150℃

Tj-55 ~150℃

VRRM1600V

IF(AV)30A

IFSM350A

I2t612A2S

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Box cartone 3. Packaging protettivo in plastica
Scaricare :
YZPST-RD3016-263
Descrizione del prodotto


YZPST-ZP3016-RD3016-ZP30A1600V 30A diodo raddrizzatore


DESCRIZIONE:
La serie ad alta tensione del raddrizzatore è stata
Ottimizzato per caduta di tensione in avanti molto bassa. Il vetro
La tecnologia di passivazione utilizzata ha un funzionamento affidabile fino a
Temperatura di giunzione di 150 ° C

High Voltage 30A Rectifier Diode

Applicazioni:

• Rettifica di input
• Switch dei semiconduttori e raddrizzatori di uscita disponibili in identici contorni di pacchetto


Ab s o l u te m ax i m u m ra t i n g s

Parameter

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

 

-55 ~ 150

Operating junction temperature range

Tj

 

-55~ 150

Maximum Repetitive peak reverse voltage

VRRM

 

1600

V

Maximum average forward current

IF(AV)

TC = 105 °C, 180°       conduction half sine wave

30

A

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

 

IFSM

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

 

350

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

612

A2S

E l ect r i c a l c hara cte r i st i cs ( t = 25 un l e ss o t he r w i s e s pe c ifi ed

Parameter Symbol Test Conditions Value Unit
Maximum forward voltage drop VFM IF=30 A 1.2 V
Maximum reverse leakage current IRM TJ = 25 °C 5 µA
VR = Rated VRRM
TJ = 150 °C 1 mA
VR = Rated VRRM
Il rmal Resistenze
Symbol Parameter Value Unit
Rth(j-a) junction to    ambient 45 /W
Rth(j-c) Junction to case 0.9
O dering Informazione schema

High Voltage 30A Rectifier Diode

To-263 Pacchetto Meccanico Dati

High Voltage Rectifier


苏ICP备05018286号-1
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