YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Dispositivi a disco a semiconduttore (tipo di capsula)> Diodo di ripristino veloce> Elevata capacità di sovratensione a 263 diodo a ripristino rapido MUR1620CTR
Elevata capacità di sovratensione a 263 diodo a ripristino rapido MUR1620CTR
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Elevata capacità di sovratensione a 263 diodo a ripristino rapido MUR1620CTR
Elevata capacità di sovratensione a 263 diodo a ripristino rapido MUR1620CTR
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Elevata capacità di sovratensione a 263 diodo a ripristino rapido MUR1620CTR

Elevata capacità di sovratensione a 263 diodo a ripristino rapido MUR1620CTR

$0.171000-9999 Piece/Pieces

$0.14≥10000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-RU50 KAK U1620G

Luogo D'origineCina

VRRM200V

VRW M140V

VR(DC)200V

IF(AV)8A

IFM16A

IFSM180A

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Box cartone 3. Packaging protettivo in plastica
Esempio immagine :
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Diodo di ripristino veloce YZPST-RU50 KAK U1620G
Descrizione del prodotto

Diodo di ripristino veloce YZPST-RU50 KAK U1620G

Elevata capacità di sovratensione a 263 diodo a ripristino rapido MUR1620CTR

MUR1610CTR-MUR1660CTR

Caratteristiche:
Alta capacità di aumento
Caduta a bassa tensione in avanti.
Capacità di alta corrente.
Velocità di commutazione super veloce per alta efficienza
Fast Recovery Diode To 263


Valutazioni massime assolute (TA = 25C ​​se non diversamente indicato)

Parameter

Symbol

MUR 1610 CTR

MUR 1615 CTR

MUR 1620 CTR

MUR 1640 CTR

MUR 1660 CTR

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

100

150

200

400

600

V

Working Peak Reverse Voltage

VRW M

70

105

140

280

420

V

DC Blocking Voltage

VR(DC)

100

150

200

400

600

V

Average Rectified Forward Current

Per Leg      Total Device

IF(AV)

8

16

A

Peak Rectified Forward Current Per Diode Leg (Rated VR, Square Wave, 20 kHz)

IFM

16

A

Nonrepetitive Peak Surge Current(Surge applied at rated load conditions half wave, single phase, 60 Hz)

IFSM

180

1.Cathode 2.Anode 3. Cathode

A

Operating Junction Temperature and Storage Temperature

TJ, Tstg

-55 to +150

C

Maximum Thermal Resistance, JunctiontoCase(Per Leg)

R θJC

3.0

2.0

C/

W

Caratteri elettrici ( gamba per diodo)

Parameter

Symbol

MUR 1610 CTR

MUR 1615 CTR

MUR 1620 CTR

MUR 1640 CTR

MUR 1660 CTR

Unit

Forward Voltage (Note 1)(IF = 8.0 A, TC = 25°C)

VF

1.0

1.3

1.7

V

Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)

(Rated DC Voltage, TC = 125°C)

(Rated DC Voltage, TC = 25°C)

IR

250

10

500

10

μ A

Maximum Reverse Recovery Time

(IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IREC = 0.25 A)

TRR

35

35

ns



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