Creazione DV/DT elevata 800V BTA24-800BW 25A TRIAC

Creazione DV/DT elevata 800V BTA24-800BW 25A TRIAC

$0.242000-19999 Piece/Pieces

$0.19≥20000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Trasporti:	Ocean,Land,Others
Porta:	SHANGHAI

Option:

IT(RMS):25A
VDRM/:800V
VRRM:800V
VTM:≤1.5A
Tstg:-40~150℃
Tj:-40~125℃
ITSM:250A

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Caratteristiche del prodotto

Modello: YZPST-BTA24-800BW

marchio: Yzpst

Luogo D'origine: Cina

IT(RMS): 25A

VDRM/: 800V

VRRM: 800V

VTM: ≤1.5A

Tstg: -40~150℃

Tj: -40~125℃

ITSM: 250A

I2t: 340A2s

DI/dt: 50A/ μs

Confezionamento e consegna

Unità vendibili	:	Piece/Pieces
Tipo pacchetto	:	1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare	:

TRIAC BTA24 800BW TO220

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Descrizione del prodotto

Bta24/BTB24 Serie 25A TRIACS

ALTA TAPPA DV/DT 800V BTA24-800BW 25A TRIAC

YZPST-BTA24-800BW

DESCRIZIONE:
Con l'elevata capacità di resistere al carico di shock di una grande corrente, i triaci della serie BTA24/BTB24 forniscono un elevato tasso DV/DT con una forte resistenza all'interfaccia elettromagnetica.

Con alte prestazioni di commutazione, 3 prodotti quadranti sono particolarmente raccomandati per l'uso sul carico induttivo. Da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno, BTA24 fornisce una tensione di isolamento nominale di 2500 VRMS conforme agli standard UL

YZPST-BTA24-800BW

PRINCIPALE CARATTERISTICHE:

symbol	value	unit
IT(RMS)	25	A
VDRM/VRRM	600/800/1200/1600	V
VTM	≤1.5	V

ASSOLUTO MASSIMO GIUDIZI:

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40~150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~125	℃
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃)	VDRM	600/800/1200/1600	V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)	VRRM	600/800/1200/1600	V
RMS on-state current	IT(RMS)	25	A
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)	ITSM	250	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	340	A2s
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)	dI/dt	50	A/ μs

Peak gate current	IGM	4	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W
Peak gate power	PGM	10	W

Caratteristiche elettriche (TJ = 25 ℃ se non diversamente specificato)

3 quadranti ：

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		CW	BW	Unit
IGT	VD=12V,			35	50	mA
VGT	RL=33Ω	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.3		V
VGD	VD=VDRM	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	80	mA
		Ⅰ-Ⅲ		70	90
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	80	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	1000	1500	V/ µs

4 quadranti ：

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		C	B	Unit
		Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ		25	50	mA
IGT	VD=12V,	Ⅳ		50	70	mA
VGT	RL=33Ω	ALL	MAX	1.5		V
VGD	VD=VDRM	ALL	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	75	mA
		Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ		70	80
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	90	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	200	500	V/ µs