YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> BIE Direzioni THIRISTOR (TRIAC)> N-channel Modalità migliorata a 247 MOSFET
N-channel Modalità migliorata a 247 MOSFET
N-channel Modalità migliorata a 247 MOSFET
N-channel Modalità migliorata a 247 MOSFET
N-channel Modalità migliorata a 247 MOSFET
N-channel Modalità migliorata a 247 MOSFET
N-channel Modalità migliorata a 247 MOSFET

N-channel Modalità migliorata a 247 MOSFET

$2.1100-999 Piece/Pieces

$1.55≥1000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-STW20NM60

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

VDSS600V

IDM78A

VGS±30A

EAS1284mJ

EAR97mJ

TSTG,TJ-55~+150℃

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Box cartone 3. Packaging protettivo in plastica
Scaricare :
Descrizione del prodotto

Pro Misin g Chi P YZPST-STW20NM60


N-channel Modalità migliorata a 247 MOSFET

Caratteristiche

l alto rugge dness

L lo w r ds (on) (tipi 0.22) @V GS = 10V

L Low ga te cha rge (tipo 84nc)

l Ottimizzare d DV/DT CA papà Bilità

l 100% Ava la nche Te S te d

l App LICA zione: UPS , Carica, PC Potenza , Inverter

Generale Descrizione

Questo MOSFET di potere è prodotto con tecnologia avanzata di promettente Patata fritta.

Questo tecnologia abilitare il potenza MOSFET a avere meglio Caratteristiche, Compreso veloce commutazione volta, basso Su Resistenza, bassa carica di gate e una valanga particolarmente eccellente caratteristiche.

Massimo assoluto giudizi

Symbol

Parameter

Value

Unit

VDSS

Drain to source voltage

600

V

 

ID

Continous drain current(@Tc=25)

20*

A

Continous drain current(@Tc=100)

12*

A

IDM

Drain current pulsed

78

A

VGS

Gate to source voltage

±30

V

EAS

Single pulsed avalanche energy

1284

mJ

EAR

Repetitive pulsed avalanche energy

97

mJ

dv/dt

Peak diode recovery dv/dt

5

V/ns

 

PD

Total power dissipation(@Tc=25)

42.3

W

Derating factor above 25

0.32

W/

TSTG,TJ

Operating junction temperature & storage temperature

-55~+150

TL

Maximum lead temperature for soldering purpose,1/8 from case for 5second

300

*La corrente di scarico è limitata dalla giunzione temperatura

Termico Caratteristiche:

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthjc

Thermal resistance , Junction to case

3.1

/W

Rthja

Thermal resistance , Junction to ambient

49

/W

Nome da disegno

To-247-3L ( LL )

N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFETN-channel TO-247 MOSFET





苏ICP备05018286号-1
Invia domanda
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Invia