YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Switching a cambio rapido Mosfet N-channel
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$2.65100-999 Piece/Pieces

$2.15≥1000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-QM3N150C

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

Vdss1500V

ID Continuous (Tc = 25 °C )3A

ID Continuous ( Tc = 100 °C )1.8A

Idm12A

EAS225mJ

Dv/dt5V/ns

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Box cartone 3. Packaging protettivo in plastica
Scaricare :
Descrizione del prodotto


Mosfet da 1500V N-channel

YZPST-QM3N150C

Descrizione generale

Questo Mosfet di potenza viene prodotto utilizzando avanzato

Tecnologia planare auto-allineata. Questo avanzato

La tecnologia è stata particolarmente su misura per ridurre al minimo

Resistenza allo stato, fornire una commutazione superiore

prestazioni e resistere al polso ad alta energia in

Modalità valanga e commutazione.

Questi dispositivi possono essere utilizzati in vari commutazioni di alimentazione

Circuito per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.

Caratteristiche

3A, 1500V, RD5 (ON) TIP. = 50@vgs = 10 V LD = 1.5a

Carica a basso gate (tipico 37NC)

Bassa capacità di trasferimento inverso (tipico2.8pf)

Commutazione rapida

100% di valanga testata

YZPST-QM3N150C(4)

Valutazioni massime assolute tc = 25 cunles altrimenti indicati

Symbol Parameter YZPST-QM3N150C Units
Voss Drain-Source Voltage 1500 V
lo Drain Current Continuous(Tc=25℃) 3 A
Continuous(Tc=100℃) 1.8 A
loM Drain Current - Pulsed                   (Note  1) 12 A
VGss Gate-Source Voltage ±30 V
EAS Single Pulsed Avalanche Energy           (Note  2) 225 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt                (Note  3) 5 V/ns
Po Power  Dissipation(Tc=25℃) 32 W
T,Tsts Operating anc Storage Temperature Range -55 to+150
Tt Maximum lead temperature for soldering purposes
1/8" frome case for 5 seconds
300

Linformazione del pacchetto a 3PH

To-3ph.jpg


苏ICP备05018286号-1
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