Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Raddrizzatore controllato al silicio (SCR)> Creazione DV/DT elevata a-92 MCR100-6 Serie 0,8A SCRS sensibile
Creazione DV/DT elevata a-92 MCR100-6 Serie 0,8A SCRS sensibile
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Creazione DV/DT elevata a-92 MCR100-6 Serie 0,8A SCRS sensibile
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$0.0211000-9999 Piece/Pieces

$0.018≥10000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Express,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-MCR100-6

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

IT(RMS)1A

VDRM/VRRM400/600V

VTM≤1.5V

Tstg-40~150℃

Tj-40~110℃

ITSM08A

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
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SCR MCR100-6 30-60UA TO92CU
Descrizione del prodotto
P/N: YZPST-MCR100-6
MCR100-6 Serie 0.8A SCRS sensibile
DESCRIZIONE:
La serie MCR100-6 SCR fornisce una velocità DV/DT elevata
con una forte resistenza all'interfaccia elettromagnetica.
Sono particolarmente raccomandati per l'uso sull'interruttore di corrente residua, i capelli lisci, l'accenditore ecc.

PRINCIPALE CARATTERISTICHE:

symbol

value

unit

IT(RMS)

1

A

VDRM/VRRM

400/600

V

VTM

≤1.5

V

ASSOLUTO MASSIMO GIUDIZI:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

400/600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

400/600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

0.8

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

ITSM

8

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

0.32

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

CARATTERISTICHE ELETTRICHE (T j = 25 se non diversamente specificato)

 

Symbol

 

Test Condition

Value

 

Unit

MIN

TYPE

MAX

IGT

 

VD=12V, RL=33Ω

-

20

200

µA

VGT

-

0.6

0.8

V

 

VGD

VD=VDRM Tj=110 RL=3.3kΩ

 

0.2

 

-

 

-

 

V

IH

IT=50mA

-

-

5

mA

IL

IG=1.2IGT

-

-

6

mA

dV/dt

VD=0.66×VDRM   Tj=110 G open RGK=1KΩ

 

10

 

-

 

-

V/ µs



PACCHETTO MECCANICO DATI

MCR100-6 TO-92

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