Applicazioni a tiristori ad alta corrente
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Trasporti: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
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Modello: YZPST-N330CH26
marchio: YZPST
Applicazioni a tiristori ad alta corrente
YZPST-N330CH26
ALTA POTENZA TIRISTORE 3000V di caratteristiche:. Configurazione interdigitata del gate di amplificazione . Elevata capacità dV / dt
. Tempo massimo di consegna garantito . Dispositivo assemblato a pressione
ALTA POTENZA THYRISTOR PER APPLICAZIONI DI CONTROLLO FASE
CARATTERISTICHE ELETTRICHE E VALUTAZIONI
Blocco - Off State
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
3000 |
3000 |
3100 |
V RRM = Tensione inversa del picco ripetitivo
V DRM = Voltaggio dello stato di picco ripetitivo off
V RSM = tensione inversa di picco non ripetitiva (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 100 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Gli appunti:
Tutti i valori nominali sono specificati per Tj = 25 oC salvo diversa indicazione.
(1) Tutti i valori di tensione sono specificati per una forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz applicata nell'intervallo di temperatura da -40 a +125 oC.
(2) 10 msec. max. larghezza di impulso
(3) Valore massimo per Tj = 125 oC.
(4) Valore minimo per forma d'onda lineare ed esponenziale all'80% di VDRM valutato. Cancello aperto. Tj = 125 oC.
(5) Valore non ripetitivo.
(6) Il valore di di / dt è stabilito in conformità allo standard EIA / NIMA RS-397, sezione 5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta a quello ottenuto da un circuito più basso, comprendente un condensatore da 0,2 F e una resistenza di 20 ohm in parallelo con il thristor sotto test.
Conducendo - su stato
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
1132 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2228 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
14.3 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.02x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.08 |
|
V |
ITM = 1830 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
4 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Dinamico
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
400 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
CARATTERISTICHE E VALUTAZIONI TERMICHE E MECCANICHE
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
24 48 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
19 |
26 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* Le superfici di montaggio sono lisce, piatte e unte
Nota: per il contorno e le dimensioni del caso, vedere il disegno di un caso nella pagina 3 di questo Dati tecnici
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