Diodo per prigionieri a recupero rapido 1800V
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Porta: | Shanghai |
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Modello: YZPST-Z20A-ZK20A18
marchio: YZPST
Diodo veloce a buone prestazioni
YZPST-Z20A-ZK20A18
I diodi di recupero rapido sono anche comunemente rappresentati da simboli grafici di diodi ordinari, sia in testo che in tipo. I diodi di recupero veloci sono simili ai diodi ordinari, ma il processo di fabbricazione è diverso da quello dei normali tubi unipolari. La giunzione PN è molto bassa per ottenere una maggiore velocità di commutazione e una minore caduta di pressione in avanti. Il tempo di recupero inverso è 200 ~ 750 ns, alta velocità fino a 10 ns. Rispetto al diodo schottky, la sua resistenza di tensione è molto più alta. un raddrizzatore ad alta velocità e come diodo raddrizzatore nella commutazione dell'alimentazione e dell'alimentazione dell'inverter, in modo da ridurre le perdite, migliorare l'efficienza e ridurre il rumore
Conduzione in avanti
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Repetitive peak reverse voltage |
VRRM |
|
|
1800 |
V |
|
Non repetitive peak reverse voltage |
VRSM |
|
|
1900 |
V |
|
Max. average forward current |
IF(AV) |
|
|
20 |
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=100oC |
Max. RMS forward current |
IF(RMS) |
|
|
33 |
A |
Nominal value; Tc=100oC |
Max. peak, one-cycle forward, non-repetitive surge current |
IFSM |
|
|
0.3 |
kA |
10.0 msec (50Hz), half sinewave, Tvj = Tvj max, VRM = 0.6VRRM |
Maximum I2t for fusing |
I2t |
|
|
4.9 |
kA2s |
|
Max. forward voltage drop |
VF |
|
|
2.15 |
V |
IF = 650A; Tvj = Tvj max |
Threshold voltage |
VTO |
|
|
1.1 |
V |
IF < 500A |
Slope resistance |
rT |
|
|
1.5 |
mΩ |
Specifiche termiche e meccaniche
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Repetitive peak reverse leakage and off state |
IRRM |
|
70 |
|
mA |
Tvj = Tvj max |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+140 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Maximum Reverse Recovery Time |
Trr |
|
|
2.2 |
μS |
|
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
|
870 |
μAc |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
0.26 |
oC/W |
|
Thermal resistamce - case to heatsink |
RQ (c-s) |
|
- - |
0.04 |
oC/W |
|
Mounting force |
P |
|
|
20 |
Nm |
± 20% |
Weight |
W |
- |
- |
- |
g |
About |
Case style |
|
|
|
- |
|
See Outline Table |
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