800V BTA216B-800B TRIAC adatto per la commutazione CA per scopi generici
$0.183000-9999 Piece/Pieces
$0.15≥10000Piece/Pieces
Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Trasporti: | Ocean,Land,Air,Others |
Porta: | SHANGHAI |
$0.183000-9999 Piece/Pieces
$0.15≥10000Piece/Pieces
Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Trasporti: | Ocean,Land,Air,Others |
Porta: | SHANGHAI |
Modello: YZPST-BTA216B-800B
marchio: Yzpst
Luogo D'origine: Cina
IT(RMS): 16A
VDRM: 800V
VRRM: 800V
IGT: ≤10mA
Di/dt: 100A/μs
IGM: 2A
VGM: 5W
PGM: 5W
Unità vendibili | : | Piece/Pieces |
Tipo pacchetto | : | 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia |
Scaricare | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
A causa della passione di vetro di separazione, questi dispositivi hanno buone prestazioni a DV/DT e affidabilità. La serie TRIAC è adatta per la commutazione CA per scopi generici. Possono essere utilizzati come funzione on-off nelle applicazioni come relè statici, regolazione del riscaldamento o per il funzionamento del controllo di fase in dimmer, controller di velocità del motore.
CARATTERISTICHE PRINCIPALI
Symbol | Value | Unit |
IT(RMS) | 16 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
IGT | ≤10 | mA |
Symbol | PARAMETER | Value | Unit | |
IT(RMS) | RMS on-state current(full sine wave) | TO-263.Non-Ins TC≤99℃ | 16 | A |
Non repetitive surge peak on-state current | t=20ms | 140 | ||
ITSM | (full sine wave, Tj=25℃) | t= 16.7ms | 150 | A |
I2t | I2t Value for fusing | t= 10ms | 98 | A2S |
di/dt | Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering | ITM = 20 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0.2 A/us | 100 | A/μs |
IGM | Peak gate current, | — | 2 | A |
VGM | Peak gate voltage | — | 5 | W |
PGM | Peak gate power | — | 5 | W |
PG(AV) | Average gate power | over any 20 ms period | 0.5 | W |
Tstg | Storage junction temperature range | -40 to +150 | ℃ | |
Tj | Operating junction temperature range | 125 | ℃ |
Symbol | Parameter | Test Condition | Quadrant | Value | Unit | ||
MIN | TYPE | MAX | |||||
IGT | Gate trigger current | VD= 12V, IT=0. 1A | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ | - | - | 10 | mA |
VD= 12V, IT=0. 1A | - | 0.7 | 1.5 | ||||
VGT | Gate trigger voltage | VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C | 0.25 | 0.4 | - | V | |
VT | On-state voltage | IT=20A | - | 1.2 | 1.5 | V | |
IH | Holding current | VD= 12V, IGT=0. 1A | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ | - | - | mA | |
Ⅰ-Ⅲ | - | - | 60 | mA | |||
IL | Latching current | VD= 12V, IGT=0. 1A | Ⅱ | - | - | 90 | mA |
ID | Off-state leakage current | VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C | - | 0.1 | 0.5 | mA |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.