$2.15100-999 Piece/Pieces
$1.85≥1000Piece/Pieces
| Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Trasporti: | Ocean,Air |
| Porta: | SHANGHAI |
Ombra:
Modello: YZPST-FM3N150C
marchio: Yzpst
Luogo D'origine: Cina
VDSS: 1500v
ID Continuo (TC = 25 ° C): 1.8a
ID Continuo (TC = 100 ° C): 1.2a
IDM: 12a
VGSS: ± 30V
EAS: 225mj
Dv/dt: 5v/ns
| Unità vendibili | : | Piece/Pieces |
| Tipo pacchetto | : | 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Box cartone 3. Packaging protettivo in plastica |
| Scaricare | : |
|
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Mosfet da 1500V N-channel
YZPST-FM3N150C
Descrizione generale
Questo MOSFET di potenza viene prodotto utilizzando una tecnologia planare autoallineata avanzata. Questa tecnologia avanzata è stata particolarmente su misura per ridurre al minimo la resistenza allo stato, fornire prestazioni di commutazione superiori e resistere all'impulso ad alta energia nella modalità valanga e di commutazione.
Questi dispositivi possono essere utilizzati in vari circuiti di commutazione di alimentazione per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.
Caratteristiche
3A, 1500V, RDS (ON) TIP. = 5q@vgs = 10 V LD = 1.5a
Carica a basso gate (tipico9.3nc)
Carica a basso gate (tipico2.4pf)
Commutazione rapida
100% di valanga testata
Valutazioni massime assolute tc = 25 ° C se non diversamente indicato
| Symbol | Parameter | JFFM3N150C | Units | |
| Vdss | Drain - Source Voltage | 1500 | V | |
| Id | Drain Current | Continuous (Tc = 25 °C ) | 1.8 | A |
| Continuous ( Tc = 100 °C ) | 1.2 | A | ||
| Idm | Drain Current - Pulsed ( Note 1) | 12 | A | |
| Vgss | Gate - Source Voltage | ±30 | V | |
| EAS | Single Pulsed Avalanche Energy ( Note 2 ) | 225 | mJ | |
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt ( Note 3 ) | 5 | V/ns | |
| Pd | Power Dissipation (Tc = 25 °C ) | 30 | W | |
| Tj,Tstg | Operating and Storage Temperature Range | -55 to +150 | °C | |
| Tl | Maximum lead temperature for soldering purposes | 300 | °C | |
| 1/8 frome case for 5 seconds | ||||
Caratteristiche termiche
| Symbol | Parameter | JFFM3N150C | Units |
| Raic | Thermal Resistance, Junction-to-Case | 4.1 | °C/W |
| Rqja | Thermal Resistance, Junction-to-Ambient | 62.5 | °c/w |
Caratteristiche elettriche TC = 25 ° C se non diversamente indicato
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min | Typ | Max | Units |
| Off Characteristics | ||||||
| BVdss | Drain - Source Breakdown Voltage | Vgs = 0 V, Id =250 uA | 1500 | V | ||
| / BVdss/ | Breakdown Voltage Temperature Coefficient | Id = 250 uA, Referenced to | -- | 1.3 | -- | v/°c |
| Tj | 25 °C | |||||
| Zero Gate Voltage Drain Current | Vds = 1500 V, Vgs = 0 V | 25 | uA | |||
| Idss | Vds = 1200 V, Tc = 125 °C | -- | -- | 500 | uA | |
| Igssf | Gate-Body Leakage Current, Forward | Vgs = 30 V, Vgs = 0 V | — | — | 100 | nA |
| Igssr | Gate-Body Leakage Current, Reverse | Vgs = -30 V, Vgs = 0 V | — | — | -100 | nA |
| On Characteristics | ||||||
| VGS(th) | Gate Threshold Voltage | Vds = Vgs, Id = 250 uA | 3 | — | 5 | V |
| RDS(on) | Static Drain-Source on-Resista nee | Vgs = 10 V, Id= 1.5A | — | 5 | 8 | Q |
| gFS | Forward Transconductance | Vds = 30 V, Id= 1.5 A ( Note | -- | 4.5 | -- | S |
| 4) | ||||||
| Dynamic Characteristics | ||||||
| Ciss | Input Capacitance | Vds = 25 V, Vgs = 0 V, f = | — | 1938 | — | pF |
| Coss | Output Capacitance | 1.0 MHz | — | 104 | — | pF |
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | — | 2.4 | — | pF | |
| Rg | Gate resistance | F= 1.0 MHz | 3.5 | Q | ||
| Switching Characteristics | ||||||
| td(on) | Turn-On Delay Time | 34 | ns | |||
| tr | Turn-On Rise Time | Vds = 750 V, Id=3.0A/ Rg = | 17 | ns | ||
| td(off) | Turn-Off Delay Time | 100 , Vgs = 10 V (Note 4,5) | 56 | ns | ||
| tf | Turn-Off Fall Time | 27 | ns | |||
| Qe | Total Gate Charge | Vds = 750 V, Id =3.0 A Vgs = | 9.3 | nC | ||
| Qgs | Gate-Source Charge | 10 V (Note 4,5) | 15 | nC | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 5.3 | nC | |||
| Drain - Source Diode Characteristics and Maximum Ratings | ||||||
| Is | Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current | 3 | A | |||
| Ism | Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current | 12 | A | |||
| Vsd | Drain-Source Diode Forward Voltage | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | 1.5 | V | ||
| trr | Reverse Recovery Time | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | 302 | ns | ||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | dlF/dt = 100 A/us ( Note | -- | 10 | -- | uC |
| 4) | ||||||
Appunti:
1. Valutazione ripetitiva: larghezza pulsata limitata dalla temperatura di giunzione massima
2. l = lo.omh, ias = 6.7a, rg = 25q, avvio
3. ISD <3.0A Z DI/DT <LOOA/US, VDD <BVDSS, Avvio di TJ = 25 ° C
4. Test pulsato: larghezza pulsata <3oous Z Duty Calcle < 2%
5. Essenzialmente indipendente dalla temperatura operativa
Numero Di Telefono: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
Azienda Indirizzo: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
sito web: https://it.yzpst.com
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