Modulo MOSFET di potenza da 1000 V Modalità di miglioramento del canale N
$31.520-99 Piece/Pieces
$21.5≥100Piece/Pieces
Tipo di pagamento: | T/T,L/C,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Trasporti: | Ocean,Land |
Porta: | SHANGHAI |
$31.520-99 Piece/Pieces
$21.5≥100Piece/Pieces
Tipo di pagamento: | T/T,L/C,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Trasporti: | Ocean,Land |
Porta: | SHANGHAI |
Modello: YZPST-MS38N100
marchio: Yzpst
Luogo D'origine: Cina
VDSS: 1000V
ID25: 38A
RDS(on): ≤ 210mΩ
Trr: ≤ 300ns
VDGR: 1000V
VGSS: ±30V
VGSM: ±40V
IDM: 120A
TJ: -55 ... +150℃
TJM: 150℃
Unità vendibili | : | Piece/Pieces |
Tipo pacchetto | : | 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia |
Scaricare | : |
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Mosfet di potere
Modalità di miglioramento del canale N.
Raddrizzatore intrinseco rapido
VDSS = 1000V
Id25 = 38a
RDS (ON) ≤ 210 m Ω
TRR ≤ 300ns
Caratteristiche
Pacchetto standard internazionale
Bassa resistenza alla porta intrinseca
Minibloc con isolamento di nitruro di alluminio
Induttanza a bassa pacchetto
Raddrizzatore intrinseco rapido
RDS bassi (ON) e QG
Vantaggi
Alta densità di potenza
Facile da montare
Risparmio dello spazio
Applicazioni
Convertitori DC-DC
Caricabatterie della batteria
Alimentatori in modalità interruttore e in modalità risonante
Controllo motorio CA.
Applicazione di commutazione ad alta velocità
Symbol | Test Conditions | Maximum Ratings | |
VDSS | TJ = 25℃ to 150℃ | 1000 | V |
VDGR | TJ = 25℃ to 150℃, RGS = 1MΩ | 1000 | V |
VGSS | Continuous |
土30 |
V |
VGSM | Transient | 土40 | V |
ID25 | TC = 25℃ | 38 | A |
IDM | TC = 25℃, Pulse Width Limited by TJM | 120 | A |
I A | TC = 25℃ | 19 | A |
EAS | TC = 25℃ | 2 | J |
dv/dt | IS < IDM , VDD < VDSS , TJ < 150℃ | 20 | V/ns |
PD | T = 25℃ | 1000 | W |
TJ | -55 ... +150 | ℃ | |
TJM | 150 | ℃ | |
TSTG | -55 ... +150 | ℃ | |
VISOL | 50/60 Hz, RMS, t = 1minute | 2500 | V~ |
I ISOL £ 1mA, t = 1s | 3000 | V~ | |
MD | Mounting Torque for Base Plate | 1.5/13 1.3/11.5 | Nm/lb.in Nm/Ib.in |
Terminal Connection Torque | |||
Weight | 30 | g |
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