TT320N16SOF Dual Thyristor Modules Thyristor with amplifying gate

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IT(AV)M

Single phase ，half wave ，sin 180° conduction ;TC=85°C

320

A

ITRMSM

Single phase ，half wave ，sin 180° conduction

520

A

ITSM

Tj= Tj MAX

8.2

kA

I2t

Tj= Tj MAX

335

kA2S

VDRM/VRRM

Tj= Tj MAX

1600

V

di/dt

non-repetitive

100

A/us

Viso

A.C. 1minute/1S

3000/3600

V

Tj

-40   ~    + 130

°C

Tstg

-40   ~    + 130

°C

W

About

410

g

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IDRM /IRRM

AtVDRM ，Single phase ，half wave ，Tj= Tj MAX

60

A

VTM

On-State Current 750A ，Tj=130°C

1.47

V

VT(TO)

Tj= Tj MAX

0.77

V

T

Tj= Tj MAX

0.58

Ω

RK1G1

-

Ω

RK2G2

-

Ω

tgd

Tj=25°C;VD=0.4VDRM ; ITM=ITAV

2

us

tq

dvD/dt=50V/us; Tj= Tj MAX; ITM=ITAV

200

us

IGT/VGT

Tj=25°C ，IT=1A ，VD=6V

150 / 2.0

mA/V

VGD

VD=67%VDRM

0.25

V

DV/DT

VD=67%VDRM

1000

V/us

IH

Tj=25°C

150

A

IL

Tj=25°C

380

A

Rth(j-c)

Thermal resistance Junction to case; per module

0.055

K/W

Rth(c-h)

Thermal resistance case to heatsink; per module

0.0275

K/W