Tiristore con gate amplificante 25a moduli tiristori

Tiristore con gate amplificante 25a moduli tiristori

$2.2100-999 Bag/Bags

$1.85≥1000Bag/Bags

Tipo di pagamento:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Trasporti:	Ocean,Air
Porta:	SHANGHAI

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Descrizione del prodotto

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Descrizione del prodotto

Caratteristiche del prodotto

Modello: YZPST-SG25AA60

marchio: Yzpst

Tipo Di Fornitura: Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore

Materiali Di Riferimento: scheda dati, Foto

Configurazione: Vettore

Ripartizione Corrente: Non applicabile

Attesa Di Corrente (Ih) (massimo): Non applicabile

Stato Di Spegnimento (massimo): Non applicabile

Numero SCR, Diodo: Non applicabile

Temperatura Di Esercizio: -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)

Tipo SCR: Ripristino standard

Struttura: Non applicabile

Tensione Attiva: Non applicabile

Trigger Gate Di Tensione (Vgt) (massimo): Non applicabile

Uscita In Corrente (massima): Non applicabile

IT (AV): 25a

ITRMS: 39a

Itsm: 0.45KA

I2t: 1.04Ka2s

VDRM/VRRM: 600 V.

Di/dt: 100a/noi

Viso: 2000v

TJ: -40 ~ + 125 ℃

Tstg: -40 ~ + 125 ℃

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Unità vendibili	:	Bag/Bags
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Descrizione del prodotto

Moduli T Hyristor

YZPST- SG25AA60

Caratteristiche
Trasferimento di calore tramite piastra di base in metallo in ceramica a nitruro di alluminio
Contatti preziosi per la pressione metallica per alta affidabilità
Tiristore con cancello di amplificazione

Applicazione tipica s

· Controllo del motore CC

· Controllo della temperatura

· Dimmio alla luce professionale

Valutazioni massime

Symbol	Condition	Ratings	Unit
IT(AV)	Single phase ，half wave ，sin 180° conduction ;TC=70°C	25	A
ITRMS	Single phase ，half wave ，sin 180° conduction	39	A
ITSM	Tj= Tj MAX	0.45	kA
I2t	Tj= Tj MAX	1.04	kA2S
VDRM/VRRM	Tj= Tj MAX	600	V
di/dt	non-repetitive	100	A/us
Viso	A.C. 1minute/1S	2000	V
Tj		-40 ~ + 125	°C
Tstg		-40 ~ + 125	°C
W	About	23	g

Caratteristiche elettriche

Symbol	Condition	Ratings	Unit
IDRM /IRRM	AtVDRM ，Single phase ，half wave ，Tj= Tj MAX	5	mA
VTM	On-State Current 78A ，Tj=25°C	1.40	V
VT(TO)	Tj= Tj MAX	-	V
T	Tj= Tj MAX	-	mΩ
RK1G1		-	Ω
RK2G2		-	Ω
tgd	Tj=25°C;VD=0.4VDRM ; ITM=ITAV	-	us
tq	dvD/dt=50V/us; Tj= Tj MAX; ITM=ITAV	-	us
IGT/VGT	Tj=25°C ，IT=1A ，VD=6V	40 / 3.0	mA/V
VGD	VD=67%VDRM	0.2	V
DV/DT	VD=67%VDRM	100	V/us
IH	Tj=25°C	30	mA
IL	Tj=25°C	-	mA
Rth(j-c)	Thermal resistance Junction to case; per module	1.6	°C /W
Rth(c-h)	Thermal resistance case to heatsink; per module	-	K/W