162A Moduli a doppio tiristore
$261-19 Piece/Pieces
$19≥20Piece/Pieces
Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Trasporti: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
$261-19 Piece/Pieces
$19≥20Piece/Pieces
Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Trasporti: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
Modello: YZPST-SKKT162-08E
marchio: Yzpst
Applicazione: Alta frequenza, Specchio corrente
Tipo Di Fornitura: Produttore originale, ODM, Agenzia, altro
Materiali Di Riferimento: scheda dati, Foto, altro
Tipo Di Pacchetto: Montaggio superficiale, Bucato
Metodo Di Installazione: Attraverso il foro, Montaggio superficiale
Funzione FET: Carburo di silicio (SiC), Standard, Super Junction, GaNFET (nitruro di gallio), Non applicabile
Configurazione: Single, Tipo T., Interruttore singolo, Non applicabile
IT (AV): 162a
ITRMS: 250a
Itsm: 4800a
I2t: 115Ka2s
VDRM/VRRM: 800/800V
Di/dt: 200A/US
Viso: 4000/4500V
TJ: -40 ~ + 125 ℃
Tstg: -40 ~ + 125 ℃
Unità vendibili | : | Piece/Pieces |
Scaricare | : |
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Dual Moduli tiristanti
Tipo: YZPST-SKKT162 /08E
Caratteristiche
Trasferimento di calore tramite piastra di base in metallo in ceramica a nitruro di alluminio
Contatti preziosi per la pressione metallica per alta affidabilità
Tiristore con cancello di amplificazione
Applicazioni tipiche
· Controllo del motore CC
· Avvia morbidi motori AC
· Controllo della temperatura
· Dimmio alla luce professionale
Valutazioni massime
Symbol |
Condition |
Ratings |
Unit |
IT(AV) |
Single phase,half wave,85° conduction TC=77℃ |
162 |
A |
ITRMS |
Single phase,half wave,85° conduction |
250 |
A |
ITSM |
TC=125℃ |
4800 |
A |
I2t |
TC=125℃ |
115 |
kA2S |
VDRM/VRRM |
TC=125℃ |
800/800 |
V |
di/dt |
non-repetitive |
200 |
A/us |
Viso |
A.C.1m/1S |
4000/4500 |
V |
Tj |
|
-40 ~ + 125 |
℃ |
Tstg |
|
-40 ~ + 125 |
℃ |
W |
|
- |
g |
caratteristiche elettriche
Symbol |
Condition |
Ratings |
Unit |
IDRM /IRRM |
AtVDRM,Single phase,half wave,TC=125℃ |
60 |
mA |
VTM |
On-State Current 500A,Tj=25℃ |
1.85 |
V |
VT(TO) |
Tj=125℃ |
1.35 |
V |
tgd |
Tj=25℃ |
1 |
us |
tq |
Tj=125℃ |
|
us |
IGT/VGT |
Tj=25℃ |
150 / 2 |
mA/V |
VGD |
VD=67%VDRM , Tj=125℃ |
0.25 |
V |
DV/DT |
VD=67%VDRM |
1000 |
V/us |
IH |
Tj=25℃ |
400 |
mA |
IL |
Tj=25℃ |
1000 |
mA |
Rth(j-c) |
Per Module |
0.08 |
K/W |
Disegno del contorno
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