$1510-199 Bag/Bags
$12≥200Bag/Bags
| Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Quantità di ordine minimo: | 10 Bag/Bags |
| Trasporti: | Ocean,Air |
| Porta: | SHANGHAI |
Ombra:
Modello: YZPST-IXFN64N50
marchio: YZPST
MOSFET di potenza
Modalità valorizzazione canale N
Valanga valutato
Diodo intrinseco veloce
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FET Type
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N-Channel
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Technology
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MOSFET (Metal Oxide)
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Drain to Source Voltage (Vdss)
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500V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
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61A (Tc)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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85mOhm @ 32A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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5.5V @ 8mA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
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150nC @ 10V
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Vgs (Max)
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±30V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
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8700pF @ 25V
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FET Feature
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-
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Power Dissipation (Max)
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700W (Tc)
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Operating Temperature
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
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Chassis Mount
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Supplier Device Package
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SOT-227B
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Package / Case
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SOT-227-4, miniBLOC
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Caratteristiche
Pacchetto standard internazionale
Incapsula epossidica incontra
UL 94V-0, classificazione di infiammabilità
miniBLOC con nitruro di alluminio
solitudine
Diodo a recupero rapido
Commutazione induttiva non bloccata (UIS)
nominale
Induttanza del pacchetto ridotta
- facile da guidare e da proteggere
vantaggi
Facile da montare
Risparmio di spazio
Densità di potenza elevata
Numero Di Telefono: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
Azienda Indirizzo: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
sito web: https://it.yzpst.com
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