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Raddrizzatori a controllo di silicio 800V Controllo di fase
Raddrizzatori a controllo di silicio 800V Controllo di fase
Raddrizzatori a controllo di silicio 800V Controllo di fase

Raddrizzatori a controllo di silicio 800V Controllo di fase

$0.42000-99999 Piece/Pieces

$0.3≥100000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo:2000 Piece/Pieces
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

marchioYZPST

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

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Descrizione del prodotto

PH ASE CONTROL SCR

YZPST-25TTS08

Descrizione / caratteristiche

I 25TTS08 di raddrizzatori controllati al silicio sono appositamente progettati per applicazioni di commutazione di media potenza e controllo di fase. La tecnologia di passivazione del vetro utilizzata ha un funzionamento affidabile fino a 125 ° C di temperatura di giunzione.

Le applicazioni tipiche sono la rettifica in ingresso (softstart) e questi prodotti sono progettati per essere utilizzati con diodi di input, switch e raddrizzatori di output International Rectifier disponibili in contorni identici.

VALUTAZIONE MASSIMA ASSOLUTA (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Typ

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

800

 

V

Average on-state current

IT(AV)

16

A

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

 

Non-repetitive peak on-state current

 

ITSM

 

300

 

A

Max. Operating Junction

Temperature

 

Tj

 

110

 

oC

Storage Temperature

Tstg

-45~150

oC

1



CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Test  Conditions

 

Min

 

Typ

 

Max

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

 

-

 

800

 

-

 

V

 

Average on-state current

 

IT(AV)

 

o

 

-

 

16

 

-

 

A

 

RMS on-state current

 

IT(RMS)

 

all conduction angles

 

-

 

25

 

-

 

A

 

On-state voltage

 

VTM

 

o

 

-

 

-

 

1.25

 

V

Holding current

IH

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

100

mA

Latching current

IL

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

200

mA

 

Gate trigger current

 

IGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

45

 

mA

 

Gate trigger voltage

 

VGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

2.0

 

V


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