$2502-9 Piece/Pieces
$210≥10Piece/Pieces
| Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Trasporti: | Ocean,Land,Express,Others |
| Porta: | SHANGHAI |
Ombra:
Modello: YZPST-KP1000A6500V
marchio: Yzpst
Luogo D'origine: Cina
VRRM: 6500V
VDRM: 6500V
IRRM: 40 mA
IDRM: 200mA
DV/dt: 1000 V/μsec
IT (AV): 1000A
ITRMS: 1650A
| Unità vendibili | : | Piece/Pieces |
| Tipo pacchetto | : | 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia |
| Scaricare | : |
|
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P/N: YZPST-KP1000A/6500V
Thyristo ad alta potenza r per FASE CONTROLLO Applicazioni
Caratteristiche:
. Tutto Struttura diffusa re
. Configurazione di amplificazione del centro
. Garantita Tempo massimo di svolta
. Alto dv/dt Capacità
. Pressione assemblata Dispositivo _
Blocco - Fuori dallo stato
|
VRRM ( 1) |
V DRM ( 1) |
VRSM ( 1) |
|
6500 |
6500 |
6600 |
VRRM = tensione inversa del picco ripetitivo
VDRM = Picco ripetitivo OFF Tensione dello stato
VRSM = Tensione inversa del picco non ripetitivo (2)
Appunti:
Tutte le valutazioni sono specificate per TJ = 25 OC a meno che
diversamente indicato.
(1) Tutte le valutazioni di tensione sono specificate per una forma d'onda sinusoidale applicata da 50Hz/60ZHz su
intervallo di temperatura da -40 a +125 OC.
(2) 10 msec. max. larghezza di impulso
(3) Valore massimo per TJ = 125 OC.
(4) Valore minimo per lineare ed esponenziale
Gavia ondata all'80% VDRM valutato. Cancello aperto.
TJ = 125 OC.
(5) Valore non ripetitivo.
(6) Il valore di DI/DT è stabilito in
In conformità con lo standard EIA/NIMA RS-397, sezione 5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta a quello ottenuto da un circuito di snobber, comprendente un condensatore da 0,2 μf e una resistenza di 20 ohm in parallelo con il thristor
sotto esame.
|
Repetitive peak reverse leakage and off state |
IRRM / IDRM |
40 mA 200mA (3) |
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/μsec |
Conduzione - sullo stato
| Parameter | Symbol | Min. | Max. | Typ. | Units | Conditions |
| Max. Average value of on-state current | IT(AV) | 1000 | A | Sinewave, 180o conduction TC=70 oC | ||
| RMS value of on-state current | ITRMS | 1650 | A | Nominal value | ||
| Peak one cpstcle surge | ITSM | 18 | kA | 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC | ||
| (non repetitive) current | ||||||
| I square t | I2t | 1620 | kA2s | |||
| Latching current | IL | 1500 | mA | VD = 24 V; RL= 12 ohms | ||
| Holding current | IH | 500 | mA | VD = 24 V; I = 2.5 A | ||
| Peak on-state voltage | VTM | 2.65 | V | ITM = 1000A; Tvj= 125℃ | ||
| Threshold voltage | VTo | 1.24 | V | Tvj= 125℃ | ||
| Slope resistance | rT | 1.01 | mΩ | Tvj= 125℃ | ||
| Critical rate of rise of on-state current (5, 6) | di/dt | 500 | A/μs | Switching from VDRM < 1500 V, | ||
| non-repetitive | ||||||
| Critical rate of rise of on-state current (6) | di/dt | - | A/μs | Switching from VDRM < 3500 V |
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
50 |
|
W |
tp = 40 us |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
10 |
|
W |
|
|
Peak gate current |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
400 |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
|
Gate voltage required to trigger all units |
VGT |
|
- 2.6 - |
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0- 125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
|
Peak negative voltage |
VGRM |
|
10 |
|
V |
|
Dinamico
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Delay time |
td |
|
- |
|
μs |
ITM = 1000 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0. 1 μs; tp = 20 μs |
|
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
700 |
|
μs |
ITM = 1000 A; di/dt = 1A/μs; VR > 200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cpstcle > 0.01% |
|
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
- |
|
μAs |
ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V |
Schema del caso e Dimen sions.
Numero Di Telefono: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
Azienda Indirizzo: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
sito web: https://it.yzpst.com
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