Disco Capitolo Powerex Thyristor DCR804 Configurazione
Ottieni l'ultimo prezzoTipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Trasporti: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Trasporti: | Ocean,Air |
Porta: | SHANGHAI |
Modello: YZPST-DCR804
marchio: Yzpst
Unità vendibili | : | Others |
Scaricare | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
Controllo della fase tiristor ad alta potenza
YZPST-DCR804
Caratteristiche del disco Capsule Powerex tiristore : tempo di svolta massimo garantito . Dispositivo assemblato a pressione
. Tutta la struttura diffusa . Alta funzionalità DV/DT . Blocco della capacità fino a 2000 volt . Configurazione del gate di amplificazione centrale
DCR804SG2121
Tiristore ad alta potenza per applicazioni di controllo delle fasi
Caratteristiche : . Tutta la struttura diffusa . Configurazione del gate di amplificazione centrale . Blocco della capacità fino a 2000 volt
. Tempo massimo di consegna garantito . Alta funzionalità DV/DT . Dispositivo assemblato a pressione
Caratteristiche elettriche e valutazioni
Blocco - Off State
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
2000 |
2000 |
2100 |
V rrm = tensione inversa del picco ripetitivo
V DRM = Picco ripetitivo OFF Tensione dello stato
V RSM = Tensione inversa del picco non ripetitivo (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
15 mA 35 mA (3) |
Critical rate of voltage rise (4) |
dV/dt |
200 V/msec |
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
900 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=67oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
1400 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
13000
12000 |
|
A
A |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
700 |
|
KA2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
800 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
400 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.80 |
|
V |
ITM = 2200A; Duty cPSTCle £ 0.01%
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM£ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
150 |
|
A/ms |
Switching from VDRM£ 1000 V |
Caratteristiche e valutazioni elettriche (Cont`d)
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 150 125 |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
0.15 |
5 3
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
5 |
|
V |
|
Dinamico
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
1.5 |
0.7 |
ms |
ITM = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
200
|
125 |
ms |
ITM = 500 A; di/dt = 25 A/ms; VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
|
mC |
ITM = 500 A; di/dt = 25 A/ms; VR³ -50 V |
* Per garantito Max. Valore, Contatta Factory.
Caratteristiche e valutazioni termiche e meccaniche
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
0.040 0.080 |
|
oC/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
0.015 0.030 |
|
oC/W |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
13.3 |
15.5 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
225 |
g |
|
* Superfici di montaggio liscia, piatta e ingrassata
NOTA: per la struttura e le dimensioni del caso, vedere il disegno del caso del caso nell'ultima pagina di questi dati tecnici
Schema e dimensioni del caso
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.