Transistore in silicio NP 3A adatto per lampade a risparmio energetico

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Informazioni basilari

Modello: YZPST-13003DL

Additional Info

produttività: 1000

marchio: YZPST

Trasporti: Ocean,Air

Luogo di origine: Cina

Abilità del rifornimento: 10000

Certificati : ISO9001-2008,ROHS

Codice SA: 85413000

Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

TRANSISTORE DEL SILICONE NPN

YZPST-13003DL

I transistor possono essere imballati in modo indipendente o in un'area molto piccola e possono contenere parte di un circuito integrato da 100 milioni o più transistor. Raddrizzatore della lampada a risparmio energetico

◆ Valutazioni massime assolute (Tc = 25 ℃)

PARAMETER	SYMBOL	VALUE	UNIT
Collector-Base Voltage	VCBO	350	V
Collector-Emitter Voltage	VCEO	220	V
Emitter-Base Voltage	VEBO	9	V
Collector Current	IC	3	A
Total Power Dissipation	PC	25	W
Junction Temperature	Tj	150	℃
Storage Temperature	Tstg	-55~150	℃

Caratteristiche elettroniche (Tc = 25 ℃)

CHARACTERISTICS	SYMBOL	TEST CONDITION	MIN	MAX	UNIT
Collector-Base Voltage	VCBO	Ic=1mA Ie=0	350		V
Collector-Emitter Voltage	VCEO	Ic=1mA Ib=0	220		V
Emitter-Base Voltage	VEBO	Ie=1mA Ic=0	9		V
Collector-Base Cutoff Current	ICBO	Vcb=350v Ie=0		10	UA
Collector-Emitter Cutoff Current	ICEO	Vce=220v Ib=0		10	UA
Emitter-Base Cutoff Current	IEBO	Veb=9v Ic=0		10	UA
Collector-Emitter Saturation Voltage	Vce(sat)	Ic=0.5A Ib=0.1A		0.9	V
Base-Emitter Saturation Voltage	Vbe(sat)	Ic=0.5A Ib=0.1A		1.5	V
DC Current Gain	Hfe	VCE=5v IC=0.2A	20	25
Diode Forward Voltage	Vf	IF=1.0A		2	V
Storage Time	ts	Ic=0.25A (UI9602)	1.5	2.5	us