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Transistore in silicio NP 3A adatto per lampade a risparmio energetico

Transistore in silicio NP 3A adatto per lampade a risparmio energetico

Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-13003DL

Additional Info

    produttività: 1000

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 10000

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

TRANSISTORE DEL SILICONE NPN

YZPST-13003DL


I transistor possono essere imballati in modo indipendente o in un'area molto piccola e possono contenere parte di un circuito integrato da 100 milioni o più transistor. Raddrizzatore della lampada a risparmio energetico

◆ Valutazioni massime assolute (Tc = 25 ℃)


PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

VCBO

350

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

220

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

9

V

Collector Current

IC

3

A

Total Power Dissipation

PC

25

W

Junction Temperature

Tj

150

Storage Temperature

Tstg

-55~150

Caratteristiche elettroniche (Tc = 25 ℃)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN

MAX

UNIT

Collector-Base  Voltage

VCBO

Ic=1mA Ie=0

350

 

V

Collector-Emitter  Voltage

VCEO

Ic=1mA Ib=0

220

 

V

Emitter-Base  Voltage

VEBO

Ie=1mA Ic=0

9

 

V

Collector-Base  Cutoff  Current

ICBO

Vcb=350v Ie=0

 

10

UA

Collector-Emitter  Cutoff

Current

 

ICEO

 

Vce=220v Ib=0

 

 

10

 

UA

Emitter-Base  Cutoff  Current

IEBO

Veb=9v    Ic=0

 

10

UA

Collector-Emitter  Saturation

Voltage

 

Vce(sat)

 

Ic=0.5A   Ib=0.1A

 

 

0.9

 

V

Base-Emitter  Saturation  Voltage

Vbe(sat)

Ic=0.5A   Ib=0.1A

 

1.5

V

DC  Current  Gain

Hfe

VCE=5v     IC=0.2A

20

25

 

Diode Forward Voltage

Vf

IF=1.0A

 

2

V

 

Storage Time

 

ts

 

Ic=0.25A (UI9602)

 

1.5

 

2.5

 

us






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