| Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
|---|---|
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Termine di consegna: | 30 giorni |
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Modello: YZPST-13003DL
produttività: 1000
marchio: YZPST
Trasporti: Ocean,Air
Luogo di origine: Cina
Abilità del rifornimento: 10000
Certificati : ISO9001-2008,ROHS
Codice SA: 85413000
Porta: SHANGHAI
TRANSISTORE DEL SILICONE NPN
YZPST-13003DL
I transistor possono essere imballati in modo indipendente o in un'area molto piccola e possono contenere parte di un circuito integrato da 100 milioni o più transistor. Raddrizzatore della lampada a risparmio energetico
◆ Valutazioni massime assolute (Tc = 25 ℃)
|
PARAMETER |
SYMBOL |
VALUE |
UNIT |
|
Collector-Base Voltage |
VCBO |
350 |
V |
|
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
220 |
V |
|
Emitter-Base Voltage |
VEBO |
9 |
V |
|
Collector Current |
IC |
3 |
A |
|
Total Power Dissipation |
PC |
25 |
W |
|
Junction Temperature |
Tj |
150 |
℃ |
|
Storage Temperature |
Tstg |
-55~150 |
℃ |
Caratteristiche elettroniche (Tc = 25 ℃)
|
CHARACTERISTICS |
SYMBOL |
TEST CONDITION |
MIN |
MAX |
UNIT |
|
Collector-Base Voltage |
VCBO |
Ic=1mA Ie=0 |
350 |
|
V |
|
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
Ic=1mA Ib=0 |
220 |
|
V |
|
Emitter-Base Voltage |
VEBO |
Ie=1mA Ic=0 |
9 |
|
V |
|
Collector-Base Cutoff Current |
ICBO |
Vcb=350v Ie=0 |
|
10 |
UA |
|
Collector-Emitter Cutoff Current |
ICEO |
Vce=220v Ib=0 |
|
10 |
UA |
|
Emitter-Base Cutoff Current |
IEBO |
Veb=9v Ic=0 |
|
10 |
UA |
|
Collector-Emitter Saturation Voltage |
Vce(sat) |
Ic=0.5A Ib=0.1A |
|
0.9 |
V |
|
Base-Emitter Saturation Voltage |
Vbe(sat) |
Ic=0.5A Ib=0.1A |
|
1.5 |
V |
|
DC Current Gain |
Hfe |
VCE=5v IC=0.2A |
20 |
25 |
|
|
Diode Forward Voltage |
Vf |
IF=1.0A |
|
2 |
V |
|
Storage Time |
ts |
Ic=0.25A (UI9602) |
1.5 |
2.5 |
us |
Elenco prodotti : Pacchetto di plastica a semiconduttore > Transistor al silicio
Mr. John chang