YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Diodo del pacchetto di plastica> Diodo ad alta tensione ad alta frequenza da 10 kV
Diodo ad alta tensione ad alta frequenza da 10 kV
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Diodo ad alta tensione ad alta frequenza da 10 kV

Diodo ad alta tensione ad alta frequenza da 10 kV

$1.251000-99999 Piece/Pieces

$0.9≥100000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Air
Porta:Shanghai
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-HV37-10F

marchioYzpst

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
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HV37-10F 私 域 .MP4
HV37-10F 私域 截取 视频 1-15 秒 3.41 MB
Descrizione del prodotto


Diodo ad alta tensione ad alta frequenza

YZPST-HV37-10F

DIEDO DI ALTA TENSIONE ALTA FRUTENZA 8KV 200MA


Caratteristiche

1. Temperatura di giunzione elevata fino a 130 ℃

2. Caduta di tensione a bassa tensione e perdite di corrente piccola

3. Protezione per guasti ai valanghe

4.MAX Tempo di recupero inverso a 70NS

5. Proprietà eccellenti contro l'impatto dell'alto HV

6. fili di piombo assiali che sono saldabili

7. Pacchetto epossidico con proprietà anti-corrosione in superficie

Applicazione

• Rettifica per il forno a microonde

• Alimentatori a microonde industriali

• Fonte HF X Ray

• Alimentazione laser

• Circuiti multiplicianti di tensione

• Rettifica delle alimentatori per altri dispositivi elettronici

1. Specifiche di Main

No.

 

Item

 

Symbol

 

Unit

 

Rating

 

Conditions

 

 

1

 

 

Repetitive Peak Reverse Voltage

 

VRRM

 

KV

 

 

10

 

 

 

 

2

 

 

 

Average Forward Current

 

 

IF (AV)

 

 

mA

 

 

200

Tamb=60 oC

 

50HZ Sine-half Wave

 

Rectification Average Value

 

 

 

3

 

 

Forward Surge Current

 

 

IFSM

 

 

A

 

 

 

15

Tamb=25 oC

 

50HZ Sine-half Wave,One Shot

 

 

4

 

 

Reverse Surge Current

 

 

IRSM

 

μA

 

 

5

 

 

5

 

Maximum Junction Temperature

 

Tjmax

 

oC

 

130

 

 

6

 

 

Storage Temperature

 

Tstg

 

oC

 

-40~+130

2. Specifiche elettriche

 

NO.

 

Item

 

Symbol

Unit

 

Rating

 

Test conditions

 

1

 

Forward Voltage Drop

 

VFM

 

V

 

18max

 

IFM=200mA

 

2

 

 

Normal Temperature Reverse Current

 

IRM1

 

μA

 

5max

 

VRM=8KV

3

 

 

High Temperature Reverse Current

 

IRM2

 

μA

 

5max

Tamb=100oC VRM=8KV

 

4

 

 

Reverse Breakdown Voltage

 

VZ

 

KV

 

8

 

IR=200mA

 

5

 

 

Reverse Recovery Time

 

trr

 

nS

 

70

 

IF=2mA, IRM=4mA  90%



(Tamb = 25 oc, se non diversamente specificato)

3. Applicazione

Per rettifica ad alta tensione;

4. Derante della corrente in avanti

YZPST-HV37-10F-1



5.dimensions (in mm))

10KV High Frequency High Voltage Diode




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