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Controllo a tiristore ad alta tensione SCR kp1000A 6500V

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Informazioni basilari

Modello: YZPST-KP1000A6500V

Additional Info

produttività: 100

marchio: YZPST

Trasporti: Ocean,Air

Luogo di origine: Cina

Abilità del rifornimento: 1000

Certificati : ISO9001-2008,ROHS

Codice SA: 85413000

Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

Tiristori per controllo di fase

YZPST-KP1000A6500V

I tiristori a controllo di fase 6600V sono abbreviati per il raddrizzatore a tiristori. È un tipo di dispositivo a semiconduttore ad alta potenza con quattro strati di tre giunzioni PN, chiamato anche tiristore. Con le caratteristiche di piccolo volume, struttura semplice e forte funzione, è uno dei dispositivi a semiconduttore più comunemente usati.

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

6600

V

V

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

6500

V

VT

On-state voltage

IT=1000 A

TJ = 25°C

 

 

2.95

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

1000

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

1140

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

22

K/KW

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

4

K/KW

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

9.7

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

470

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= 2/3VDRM

repetitive

 

 

50

A/µs

non-repet

 

 

1000

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= 2/3
V
DRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

2000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

2.6

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

400

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

500

mA

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

900

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

3

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD= 2/3
V
DRM

TJ = 150°C

 

 

600

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-40

 

140

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

 

 

125

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

14

22

24

kN



Disegno di contorno

High Voltage Thyristor Control SCR kp1000A 6500V

Elenco prodotti : Dispositivi a semiconduttore (tipo a capsula) > Trifase di controllo di fase

Immagine prodotto

  • Controllo a tiristore ad alta tensione SCR kp1000A 6500V
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