YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Casa> Elenco prodotti> Dispositivi a disco a semiconduttore (tipo di capsula)> Inverter tiristore> Tiristore ad alta potenza da 6500 V ad alta capacità dV / dt
Tiristore ad alta potenza da 6500 V ad alta capacità dV / dt
Tiristore ad alta potenza da 6500 V ad alta capacità dV / dt
Tiristore ad alta potenza da 6500 V ad alta capacità dV / dt
Tiristore ad alta potenza da 6500 V ad alta capacità dV / dt
Tiristore ad alta potenza da 6500 V ad alta capacità dV / dt

Tiristore ad alta potenza da 6500 V ad alta capacità dV / dt

$1501-99 Piece/Pieces

$95≥100Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo:1 Piece/Pieces
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-KP894A-6500V

marchioYZPST

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica
Descrizione del prodotto


TIRISTORE AD ALTA POTENZA PER APPLICAZIONI CON CONTROLLO FASE

YZPST-KP894A-6500V

Descrizione del prodotto

Caratteristiche:

. Tutta la struttura diffusa

. Configurazione del gate di amplificazione interdigitato v

. Tempo di spegnimento massimo garantito

. Alta capacità dV / dt

. Dispositivo assemblato a pressione

CARATTERISTICHE ELETTRICHE E VALUTAZIONI

Blocco - Stato spento

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

6500

6500

6600

V RRM = Tensione inversa di picco ripetitiva

V DRM = Tensione ripetitiva di picco disattivata

V RSM = Tensione inversa di picco non ripetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Appunti:

Tutti i rating sono specificati per Tj = 25 o C se non diversamente indicato.

(1) Tutte le tensioni nominali sono specificate per un'applicazione

Forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz su

intervallo di temperatura da -40 a +125 o C.

(2) 10 msec. max. larghezza di impulso

(3) Valore massimo per Tj = 125 o C.

(4) Valore minimo per forma d'onda lineare ed esponenziale fino all'80% del valore nominale V DRM . Cancello aperto. Tj = 125 o C.

(5) Valore non ripetitivo.

(6) Il valore di di / dt è stabilito in conformità con standard EIA / NIMA RS-397, sezione 5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta a quello ottenuto da un circuito ubber, comprendente un condensatore da 0,2 m F e una resistenza di 20 ohm in parallelo con il resistore in prova.

Appunti:

Tutti i rating sono specificati per Tj = 25 o C se non diversamente indicato.

(1) Tutte le tensioni nominali sono specificate per un'applicazione

Forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz su

intervallo di temperatura da -40 a +125 o C.

(2) 10 msec. max. larghezza di impulso

(3) Valore massimo per Tj = 125 o C.

(4) Valore minimo per forma d'onda lineare ed esponenziale fino all'80% del valore nominale V DRM . Cancello aperto. Tj = 125 o C.

(5) Valore non ripetitivo.

(6) Il valore di di / dt è stabilito in conformità con standard EIA / NIMA RS-397, sezione 5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta a quello ottenuto da un circuito ubber, comprendente un condensatore da 0,2 m F e una resistenza di 20 ohm in parallelo con il resistore in prova.

Conduzione - sullo stato

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

 

894

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=60oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

 

1404

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

   

12

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

0.72x106

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

3000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

300

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.4

 

V

ITM = 1000 A ,Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

-

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

YZPST-KP894A-6500V-1

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1


Casa> Elenco prodotti> Dispositivi a disco a semiconduttore (tipo di capsula)> Inverter tiristore> Tiristore ad alta potenza da 6500 V ad alta capacità dV / dt
苏ICP备05018286号-1
Invia domanda
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Invia