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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Diodo di recupero veloce ad alta potenza

Diodo di recupero veloce ad alta potenza

Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-SD233N/R

Additional Info

    produttività: 100

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: CINA

    Abilità del rifornimento: 1000

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85411000

    Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

Diodo di recupero ad alta potenza FAST

DIODI VELOCI DI RECUPERO, Versione Stud

Caratteristiche : serie di diodi di recupero FAST ad alta potenza, tempo di recupero da 1,0 a 2,0 μs, alta tensione fino a 5000 V, Capacità di corrente elevata, caratteristiche ottimizzate accendere e spegnere, Lo w recupero avanti, veloce e inverso morbido recuperare, compressione incapsulamento legato, versione Stud B-8, temperatura massima di giunzione 125 ° C

Applicazioni tipiche: Diodo snubber per GTO, recupero veloce, applicazioni raddrizzatore


High Power FAST Recovery Diode YZPST-SD233NR (1)

High Power FAST Recovery Diode


Conduzione in avanti


Parameters

PSTSD233N/R

Units

Conditions

IF(AV              Max. average forward current

 

@ Case temperature

250

A

180° conduction, half sine wave

60

°C

IF(RMX)           Max. RMS forward current

390

A

 

 

 

IFSM               Max. peak, one-cycle forward

 

non-repetitive surge current

5500

A

t = 10ms

No voltage

 

reapplied

Initial TJ =TJmax.

5760

A

t = 8.3ms

I2t             Maximum I2t for fusing

150000

A2s

t = 10ms

No voltage

 

reapplied

140000

A2s

t = 8.3ms

I2t          Maximum I2t for fusing

 

1500000

KA2√s

I2t for time tx = I2t x tx ;

 

0.1 tx 10ms, VRRM = 0V

VFM                Maximum forward voltage drop

3.0

V

TJ = 25 oC, IFM = 1200 (arm)

IRRM               Max. DC reverse current

10.0

μA

TJ = 25 oC, per diode at VRRM

Trr

5

μs




Tabella dei contorni


High Power FAST Recovery Diode


Elenco prodotti : Dispositivi per semiconduttori > Diodo con perno a recupero rapido

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