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Diodo per prigionieri a recupero rapido 1800V

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Informazioni basilari

Modello: YZPST-Z20A-ZK20A18

Additional Info

produttività: 1000

marchio: YZPST

Trasporti: Ocean,Air

Luogo di origine: Cina

Abilità del rifornimento: 10000

Certificati : ISO9001-2008,ROHS

Codice SA: 85411000

Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

Diodo veloce a buone prestazioni

YZPST-Z20A-ZK20A18

I diodi di recupero rapido sono anche comunemente rappresentati da simboli grafici di diodi ordinari, sia in testo che in tipo. I diodi di recupero veloci sono simili ai diodi ordinari, ma il processo di fabbricazione è diverso da quello dei normali tubi unipolari. La giunzione PN è molto bassa per ottenere una maggiore velocità di commutazione e una minore caduta di pressione in avanti. Il tempo di recupero inverso è 200 ~ 750 ns, alta velocità fino a 10 ns. Rispetto al diodo schottky, la sua resistenza di tensione è molto più alta. un raddrizzatore ad alta velocità e come diodo raddrizzatore nella commutazione dell'alimentazione e dell'alimentazione dell'inverter, in modo da ridurre le perdite, migliorare l'efficienza e ridurre il rumore

Conduzione in avanti

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

1800

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

1900

V

Max. average forward current

IF(AV)

20

A

Sinewave,180o conduction,Tc=100oC

Max. RMS forward current

IF(RMS)

33

A

Nominal value; Tc=100oC

Max. peak, one-cycle forward,

non-repetitive surge current

IFSM

0.3

kA

10.0 msec (50Hz), half sinewave,

Tvj = Tvj max, VRM = 0.6VRRM

Maximum I2t for fusing

I2t

4.9

kA2s

Max. forward voltage drop

VF

2.15

V

IF = 650A; Tvj = Tvj max

Threshold voltage

VTO

1.1

V

IF < 500A

Slope resistance

rT

1.5

Specifiche termiche e meccaniche

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Repetitive peak reverse leakage and off state

IRRM

70

mA

Tvj = Tvj max

Operating temperature

Tj

-40

+140

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Maximum Reverse Recovery Time

Trr

2.2

μS

Reverse recovery charge

Qrr

870

μAc

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

0.26

oC/W

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

-

-

0.04

oC/W

Mounting force

P

20

Nm

± 20%

Weight

W

-

-

-

g

About

Case style

-

See Outline Table



Fast Recovery Diode Stud YZPST-Z20A-ZK20A18



Elenco prodotti : Dispositivi per semiconduttori > Diodo con perno a recupero rapido

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  • Diodo per prigionieri a recupero rapido 1800V
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