YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> BIE Direzioni THIRISTOR (TRIAC)> Triodo a semiconduttore in silicio tipo 40A triac
Triodo a semiconduttore in silicio tipo 40A triac
Triodo a semiconduttore in silicio tipo 40A triac
Triodo a semiconduttore in silicio tipo 40A triac
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Triodo a semiconduttore in silicio tipo 40A triac

Triodo a semiconduttore in silicio tipo 40A triac

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Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-BTB40-600B-5

marchioYZPST

Descrizione del prodotto

40 A TRIACS

YZPST- B T B4 0 - 6 00B



G E N ERAL DESCRIZIONE

Disponibile in package passanti o con montaggio superficiale, la serie triac BTB40 - 600B è adatta per la commutazione CA generica. Possono essere utilizzati come funzione ON / OFF in applicazioni quali relè statici, regolazione del riscaldamento, circuiti di avviamento del motore a induzione ... o per il controllo di fase in dimmer di luce, regolatori di velocità del motore, ...

Le versioni snubberless (serie BTB ... W) sono consigliate per l'uso su

carichi induttivi, grazie alle loro alte prestazioni di commutazione. Usando un pad in ceramica interno,

40A TRIACS

E L E C T R I C A L CARATTERISTICHE (Ta = 25 ° C)

PARAMETER

Symbol

Test  Conditions

Min.

Max

Unit

Repetitive peak off-state voltages

 

VDRM

 

ID=0.1mA

 

600

 

-

 

V

 

Repetitive peak off-state current

 

IDRM

VDRM=520V

 

-

5.0

uA

 

On-state voltage

VTM

 

IT=60A

-

 

1.55

 

V

Holding current

IH

IT=0.5A,IGT=20mA

-

50

mA

Gate trigger

Current

T2+G+

IGT

VAK=12V,RL=30Ω

-

 

50

mA

T2+G-

-

50

T2-G-

-

50

T2-G+

-

100

Gate trigger

Voltage

T2+G+

VGT

VD=12V,RL=30Ω

-

1.3

V

T2+G-

-

 

1.3

T2-G-

 

1.3

T2-G+

-

1.3


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